M386ABG40M51-CAE - DDR4 LRDIMM 256 GB 8R x 4 3200 Mbps 1.2 V 288 (4H 3DS 16G x 4) x 36 Sample

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Interno Número de peza

fabricante

breve descrición

DDR4 LRDIMM 256 GB 8R x 4 3200 Mbps 1.2 V 288 (4H 3DS 16G x 4) x 36 Sample

estado de RoHS

Chumbo / RoHS compliant

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1-2 días

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da Resource : Franqueada Distribuidor / fabricante directo

País de orixe : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de peza : M386ABG40M51-CAE

fabricante : Samsung Semiconductor

descrición : DDR4 LRDIMM 256 GB 8R x 4 3200 Mbps 1.2 V 288 (4H 3DS 16G x 4) x 36 Sample

serie : DDR3

DDR : DDR4

Tipo de DIMM : LRDIMM

densidade : 256 GB

Rematou x Org. : 8R x 4

velocidade : 3200 Mbps

Voltaxe : 1.2 V

Número de Pin : 288

composición compoñente : (4H 3DS 16G x 4) x 36

estado do produto : Sample

peso : -

condición : Novo e orixinal

Ligazóns relacionadas : M386A , M386ABG4

Número de peza	Marca	descrición
WF165270WL76238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 7600PF 16KV SCREW.
WF135250WL50238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 5000PF 16KV SCREW.
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WF165335WL10338BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 10000PF 16KV SCREW.
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BZ114096WZ10238BK1	Vishay Beyschlag	CAP CER 1000PF 40KV AXIAL.
CDR35BP103BKUSAR	Vishay Vitramon	CAP CER 10000PF 100V BP 1825.
BZ120055WC16136CB1	Vishay Beyschlag	CAP CER 160PF 9KV AXIAL.
WZ125178BH30236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 3000PF 10KV.
WX095162WJ15236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 1500PF 14KV SCREW.
WF135272WL60236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 6000PF 16KV SCREW.