FDS6162N7 - MOSFET N-CH 20V 23A 8-SOIC

Número de Fabricación
Interno Número de peza
fabricante
breve descrición
MOSFET N-CH 20V 23A 8-SOIC
estado de RoHS
Chumbo / RoHS compliant
Tempo de entrega
1-2 días
cantidade dispoñible
68660 Pieces
Prezo de referencia
USD 0
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especificacións para FDS6162N7

Garantía de calidade : garantía de 365 días
da Resource : Franqueada Distribuidor / fabricante directo
País de orixe : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de peza : FDS6162N7
fabricante : ON Semiconductor
descrición : MOSFET N-CH 20V 23A 8-SOIC
serie : PowerTrench®
Estado da parte : Obsolete
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 20V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 23A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.5 mOhm @ 23A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 73nC @ 4.5V
Vgs (máximo) : ±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 5521pF @ 10V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 3W (Ta)
Temperatura de operación : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores : 8-SO
Paquete / Estuche : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
peso : -
condición : Novo e orixinal
Ligazóns relacionadas : FDS , FDS6

documentos para FDS6162N7

follas de datos : FDS6162N7.pdf

produtos para FDS6162N7 ON Semiconductor

Número de peza Marca descrición mercar

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WF110250WJ50238BJ1

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WI085444WN84236BJ1

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CAP CER 8400PF 18KV.

BZ118100WV10136CB1

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CAP CER 100PF 30KV AXIAL.

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WZ125178BH30236BJ1

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