M474A1K43DB1-CVF - DDR4 ECC SODIMM 8 GB 1R x 8 2666 Mbps 1.2 V 260 (1G x 8) x 9 Sample

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fabricante

breve descrición

DDR4 ECC SODIMM 8 GB 1R x 8 2666 Mbps 1.2 V 260 (1G x 8) x 9 Sample

estado de RoHS

Chumbo / RoHS compliant

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1-2 días

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102410 Pieces

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da Resource : Franqueada Distribuidor / fabricante directo

País de orixe : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de peza : M474A1K43DB1-CVF

fabricante : Samsung Semiconductor

descrición : DDR4 ECC SODIMM 8 GB 1R x 8 2666 Mbps 1.2 V 260 (1G x 8) x 9 Sample

serie : DDR3

DDR : DDR4

Tipo de DIMM : ECC SODIMM

densidade : 8 GB

Rematou x Org. : 1R x 8

velocidade : 2666 Mbps

Voltaxe : 1.2 V

Número de Pin : 260

composición compoñente : (1G x 8) x 9

estado do produto : Sample

peso : -

condición : Novo e orixinal

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Número de peza	Marca	descrición
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04026W105KAT2A	AVX Corporation	CAP CER 1UF 6.3V X6S 0402. Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 16V 2.2uF 0805 5% X7R
WF125300BH10338BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 10000PF 10KV SCREW.
WF110250WJ50236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 5000PF 14KV SCREW.
CDR31BX332BKZPAB	Vishay Vitramon	CAP CER 3300PF 100V BX 0805.
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WF110250WJ47238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 4700PF 14KV SCREW.
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CDR32BP102BJZRAC	Vishay Vitramon	CAP CER 1000PF 100V BP 1206.
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