FQAF10N80 - MOSFET N-CH 800V 6.7A TO-3PF

Número de Fabricación
Interno Número de peza
fabricante
breve descrición
MOSFET N-CH 800V 6.7A TO-3PF
estado de RoHS
Chumbo / RoHS compliant
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1-2 días
cantidade dispoñible
8924 Pieces
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especificacións para FQAF10N80

Garantía de calidade : garantía de 365 días
da Resource : Franqueada Distribuidor / fabricante directo
País de orixe : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de peza : FQAF10N80
fabricante : ON Semiconductor
descrición : MOSFET N-CH 800V 6.7A TO-3PF
serie : QFET®
Estado da parte : Obsolete
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 800V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 6.7A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.05 Ohm @ 3.35A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 71nC @ 10V
Vgs (máximo) : ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 2700pF @ 25V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 113W (Tc)
Temperatura de operación : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores : TO-3PF
Paquete / Estuche : TO-3P-3 Full Pack
peso : -
condición : Novo e orixinal
Ligazóns relacionadas : FQA , FQAF

documentos para FQAF10N80

follas de datos : FQAF10N80.pdf

produtos para FQAF10N80 ON Semiconductor

Número de peza Marca descrición mercar

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CAP CER 5000PF 20KV SCREW.

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CAP CER 100PF 16KV DISK.

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CAP CER 0.022UF 100V X7R RADIAL.

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