especificacións para RN1702JE(TE85L,F)

Número de peza : RN1702JE(TE85L,F)
fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
descrición : TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV
serie : -
Estado da parte : Active
Tipo de transistor : 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Actual - Coleccionista (Ic) (máximo) : 100mA
Tensión - Desglose do emisor do coleccionista (máximo) : 50V
Resistor - Base (R1) : 10 kOhms
Resistor - Base do emisor (R2) : 10 kOhms
Ganancia de corrente continua (hFE) (min) @ ic, Vce : 50 @ 10mA, 5V
Vce Saturación (Max) @ Ib, Ic : 300mV @ 250µA, 5mA
Actual - Corte do coleccionista (máximo) : 100nA (ICBO)
Frecuencia - Transición : 250MHz
Potencia: máx : 100mW
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete / Estuche : SOT-553
Paquete de dispositivos de provedores : ESV
peso : -
condición : Novo e orixinal
Garantía de calidade : garantía de 365 días
da Resource : Franqueada Distribuidor / fabricante directo
País de orixe : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de Fabricación
Interno Número de peza
breve descrición
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV
estado de RoHS
Chumbo / RoHS compliant
Tempo de entrega
1-2 días
cantidade dispoñible
5301660 Pieces
Prezo de referencia
USD 0
noso prezo
- (Póñase en contacto connosco por un prezo mellor: [email protected])

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produtos para RN1702JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage

Número de peza Marca descrición mercar

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